DNP logra una resolución de patrón de línea de 10 nanómetros en plantilla de nanoimpresión para semiconductores de última generación
DNP logra una resolución de patrón de línea de 10 nanómetros en plantilla de nanoimpresión para semiconductores de última generación
- Admite semiconductores de una generación de 1,4 nanómetros, además de reducir los costes de fabricación y el consumo de energía -
TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Dai Nippon Printing Co., Ltd. (DNP, TOKYO:7912) anunció hoy el desarrollo de una plantilla de litografía de nanoimpresión (NIL) que incluye una línea de circuitos con una anchura de 10 nanómetros (nm: 10-9 metros). La nueva plantilla permite crear patrones para semiconductores lógicos equivalentes a la generación de 1,4 nm y cumple los requisitos de miniaturización de los semiconductores lógicos de última generación.
Antecedentes y objetivos
Acompañando la migración hacia dispositivos más sofisticados que se observó en los últimos años, han surgido demandas de una miniaturización aún mayor en semiconductores de última generación, lo que produjo avances en la producción basada en litografía de ultravioleta extremo (EUV).
El comunicado en el idioma original es la versión oficial y autorizada del mismo. Esta traducción es solamente un medio de ayuda y deberá ser comparada con el texto en idioma original, que es la única versión del texto que tendrá validez legal.
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DNP: Yusuke Kitagawa, +81-3-6735-0101
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