-

Toshiba发布适用于汽车有刷直流电机的栅极驱动器集成电路,助力设备小型化

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation(以下简称“Toshiba”)已开始大规模生产“TB9103FTG”,这是一款用于汽车有刷直流电机的栅极驱动器集成电路[1],适用于电动尾门和电动侧滑门的锁闩电机[2]和锁止电机[3],以及电动车窗和电动座椅的驱动电机。

以前汽车中手动调节的部件如今在很大程度上实现了电气化,这既增加了对电动机的需求,也增加了集成到车辆中的电动机数量。电机中使用的驱动器数量也有所增加,促使厂商采取措施实现整体系统的小型化和集成化。此外,还有一些电机应用不需要转速控制,对于这些应用,需要具有简单功能和性能的驱动器。

TB9103FTG为不需要速度控制的有刷直流电机提供了简化的栅极驱动器功能和性能,为实现更紧凑的设计开辟了道路。它内置了一个电荷泵电路[4],可确保为驱动电机的外部MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)供电所需的电压。它还具有栅极监控功能,通过自动控制向高端和低端外部MOSFET输出栅极信号的时序,防止出现直通电流。此外,它具备睡眠功能,实现了待机期间的低功耗。

这款新的集成电路还可用作单通道H桥或双通道半桥。除了用作电机驱动器外,它还可以与外部MOSFET结合使用,以取代机械继电器和其他机械开关,有助于实现更安静的运行和更高的设备可靠性。

TB9103FTG采用4.0×4.0mm(典型值) 的VQFN24封装,有助于设备的小型化。

Toshiba网站上现已提供“使用TB9103FTG的汽车有刷直流电机控制电路”的参考设计。

Toshiba将继续扩充其汽车电机驱动器产品阵容,为汽车设备的电气化以及安全性提升做出贡献。

注:
[1] 栅极驱动器集成电路:一种用于驱动MOSFET的驱动器。
[2] 锁闩电机:用于使车门保持关闭状态的系统中的电机。
[3] 锁止电机:用于与钥匙操作配合实现车门锁止和解锁以防止犯罪的系统中的电机。
[4] 电荷泵电路:一种使用电容器和开关来提升电压的电路。

应用

汽车设备

  • 用于电动尾门和电动侧滑门的锁闩电机和锁止电机的驱动器,以及车窗、电动座椅等的电机驱动器

特性

  • 功能和性能最小化,支持设备小型化
  • 封装尺寸小
  • 内置睡眠功能,实现低功耗待机
  • 可作为单通道H桥或双通道半桥的栅极驱动器运行
  • 通过AEC-Q100(1级)认证

主要规格

部件编号

TB9103FTG

适用电机

有刷直流电机

输出通道数量

单通道(用作H桥时)

/双通道(用作半桥时)

主要功能

睡眠功能、内置电荷泵、H桥运行、半桥运行、死区时间控制

主要故障检测

电源低电压检测、电荷泵过电压检测、过热检测、外部MOSFET的VGS和VDS检测

绝对最大额定值

(Ta=-40至125°C)

电源电压1 VB

Vb (V)

-0.3至18

18至40(一秒内)

电源电压2 VCC

Vcc (V)

-0.3至6

环境温度

Ta (°C)

-40至125

工作范围

(Ta=-40至125°C)

电源电压工作范围1 VB

VBrng (V)

7至18

电源电压工作范围2 VCC

VCCrng (V)

4.5至5.5

结温工作范围

Tjrng (°C)

-40至150

封装

类型

P-VQFN24-0404-0.50-003

尺寸(mm)

典型值

4.0×4.0

可靠性

通过AEC-Q100(1级)认证

样品检查及供应情况

在线购买

点击以下链接了解更多关于新产品的信息。
TB9103FTG

点击以下链接查看使用TB9103FTG的参考设计。
使用TB9103FTG的汽车有刷直流电机控制电路

点击以下链接了解更多关于Toshiba汽车有刷直流电机驱动器集成电路的信息。
汽车有刷直流电机驱动器集成电路

如需查看在线分销商处新产品的供应情况,请访问:
TB9103FTG
在线购买

* 公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。
* 本文档中的信息(包括产品价格和规格、服务内容和联系方式)为公告发布之日的最新信息,但如有更改,恕不另行通知。

关于Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先进半导体和存储解决方案的领先供应商,凭借半个多世纪的经验和创新,为客户和业务合作伙伴提供卓越的分立半导体、系统LSI和HDD产品。

该公司在全球拥有19,400名员工,以实现产品价值最大化,与客户密切合作共创价值和开拓新市场为宗旨。该公司以建设并促进更美好的未来,让全世界的所有人受益为目标。

如需了解更多信息,请访问 https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Contacts

客户垂询:
模拟和汽车设备销售与营销部
电话:+81-44-548-2219
联系我们

媒体垂询:
Chiaki Nagasawa
数字营销部
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation



Contacts

客户垂询:
模拟和汽车设备销售与营销部
电话:+81-44-548-2219
联系我们

媒体垂询:
Chiaki Nagasawa
数字营销部
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

More News From Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba推出符合AEC-Q100标准的双通道车规级数字隔离器

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation(“Toshiba”)推出专为汽车应用设计的双通道高速标准数字隔离器系列。这一新推出的DCM32xx00系列包含四款器件,通过100kV/μs(典型值)[1]的高共模瞬态抗扰度(CMTI)与50Mbps(最大值)[2]的高数据传输速率,支持系统的稳定运行。所有设备均符合AEC-Q100标准,满足汽车电子元件的安全性与可靠性要求。即日起开始出货。 在混合动力汽车(HEV)与电动汽车(EV) 中,为确保车载充电器(OBC)和电池管理系统(BMS)的安全性与可靠性,需要使用具备隔离功能并能抑制噪声传播的器件。车规级数字隔离器可为这些隔离期间所需的多通道高速通信与高CMTI提供解决方案。 新推出的隔离器采用Toshiba专有的磁耦合型隔离传输方法,可实现100kV/μs(典型值)的高CMTI。这可有效增强隔离信号传输过程中输入与输出之间的抗电噪性能,确保控制信号传输稳定,并有助于设备的稳定运行。此外,该系列产品还实现了0.8...

Toshiba推出采用DFN8x8封装的第3代650V SiC MOSFET

日本川崎市--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation(以下简称“Toshiba”)推出了四款650V碳化硅 (SiC) MOSFET,搭载其新款[1] 第3代SiC MOSFET芯片,采用紧凑型DFN8x8封装,适用于开关电源和光伏发电调节器等工业设备。这四款设备“TW031V65C”、 “TW054V65C”、“TW092V65C“和“TW123V65C”即日起批量出货。 这款新品是首批采用小型贴片DFN8x8封装的第3代SiC MOSFET,与TO-247和TO-247-4L(X)等传统的引线封装相比,体积缩小超过90%,显著提升了设备的功率密度。贴片封装还能使用比引线封装更小的寄生阻抗[2]元件,从而降低开关损耗。DFN8x8采用4引脚[3]封装,支持对门极驱动信号源端进行Kelvin连接,有效减少封装内源极线的电感影响,实现高速开关性能;以型号TW054V65C为例,其开启损耗降低约55%,关断损耗降低约25%[4],相比Toshiba现有产品[5],有助于...

东芝发布面向工业设备的SiC MOSFET栅极驱动光耦,提供更好的安全功能

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation(东芝电子元件和存储株式会社,简称“东芝”)推出了具有+6.8A/-4.8A输出的栅极驱动光耦“TLP5814H”,采用SO8L小尺寸封装,集成了有源米勒钳位功能,可用于驱动碳化硅(SiC)MOSFET。该产品即日起开始批量发货。 在逆变器等以串行方式使用MOSFET或IGBT的电路中,米勒电流[1]可能会在下桥臂[2]关断时生成栅极电压,从而导致上下桥臂短路[3]等故障。为预防这种现象,一种常用的保护功能是在栅极关断时对其施加一个负电压。 与硅(Si)MOSFET相比,SiC MOSFET通常电压更高、导通电阻更低,开关速度更快,某些情况下无法在栅极和源极之间施加足够的负电压。对于这种情况,可使用有源米勒钳位将米勒电流引入大地,从而在防止短路的同时,无需施加负电压。不过,一些节省成本的设计可以降低在IGBT关断时将施加到栅极的负电压大小。对于此类情况,可考虑使用内置有源米勒钳位的栅极驱动。 这款新产品内置了有源米勒...
Back to Newsroom