DNP logra una resolución de patrón fina en las fotomáscaras de litografía EUV para una generación superior a los 2 nm

TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Dai Nippon Printing Co. (DNP, TOKYO: 7912) ha logrado con éxito la resolución de patrón fino requerida para las fotomáscaras para semiconductores lógicos de la generación¹ superior a 2nm (nm: 10^-9 metros) que admiten la litografía ultravioleta extrema (EUV), un proceso de vanguardia en la fabricación de semiconductores.

DNP también ha completado la evaluación de criterios para las fotomáscaras compatibles con la Alta Apertura Numérica², la aplicación que se está considerando para la próxima generación de semiconductores más allá de la generación de 2nm, y ha comenzado el suministro de fotomáscaras de evaluación. La litografía EUV de alta apertura numérica permite formar patrones finos en obleas de silicio con una resolución superior a la que era posible hasta ahora, y se espera que conduzca a la realización de semiconductores de alto rendimiento y bajo consumo.

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